VBZMB2N65 دیتاشیت

VBZMB2N65

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت VBZMB2N65
حجم فایل 72.767 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت VBZMB2N65

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec VBZMB2N65
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): 2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.7Ω@10V,2A
  • Package: TO-220F-3
  • Manufacturer: VBsemi Elec

محصولات مشابه